В начале 1990-х гг. в Академии наук СССР было принято решение начать проводить исследования и разработки в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур. Формально НТЦ микроэлектроники уже существовал при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, но был передан сначала АН СССР, а затем стал частью организаций, объединяемых СПбНЦ РАН. В центре проводятся исследования методов молекулярно-пучковой эпитаксии и диагностика полупроводниковых наногетеоструктур. Более того, учреждение занимается разработкой новых типов опто- и микроэлектронных приборов, которые активно используются в промышленности. Одними из важных изобретений центра являются светодиодные светильники с динамически управляемыми характеристиками для медицинских исследований и фотометры, входящие в состав портативных приборов. Оба прибора отличаются уникальностью схемных решений и последними на сегодняшний день достижениями отечественной электроники.
НТЦ микроэлектроники РАН располагается ул. Политехнической, 26 в здании Лабораторного корпуса Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе. Сотрудники НТЦ активно участвуют в исследовательских конференциях, секторах и встречают зарубежных коллег. Директором центра является член-корресподент РАН В.М. Устинов.
Источник
http://ntcm-ras.ru/
